型号 | EM6M1T2R |
厂商 | Rohm Semiconductor |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
EM6M1T2R PDF | |
代理商 | EM6M1T2R |
产品培训模块 | MOSFETs |
产品目录绘图 | EM6 Series EMT-6 |
特色产品 | ECOMOS? Series MOSFETs |
标准包装 | 8,000 |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V,20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA,200mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 8 欧姆 @ 10mA,4V |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 13pF @ 5V |
功率 - 最大 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装 | EMT6 |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | EM6M1T2RTR |